

产品型号:Wafergard WGMXMPRR4HTL
更新时间:2026-11-04简要描述:Entegris 半导体 CVD 高温高纯气体过滤器 Entegris 英特格 Wafergard® MAX HT 在线气体过滤器,适配最高 200℃高温工况,可截留纳米级颗粒,用于半导体 CVD 设备、TEOS、高 k 材料沉积、热氮气吹扫等工艺,服务 FEOL、BEOL 制程,保障高纯气体洁净度,降低晶圆颗粒污染缺陷,是半导体制造高温气路的核心过滤耗材。
| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 环保,化工,能源,电子/电池,综合 |
半导体专用高温高纯气体终端过滤器,专门针对最高 200℃高温工况设计,解决 TEOS、高 k 介质、热氮气吹扫等高温工艺的微粒污染问题,是 CVD 设备端使用的核心过滤件Entegris。

滤膜:PTFE(聚四氟乙烯),耐化学腐蚀、耐高温
支撑骨架:PFA
壳体:电解抛光 316L 不锈钢,内壁 Ra≤0.17μm,低析出、高洁净
过滤精度:截留≥0.0015μm 颗粒,截留效率≥99.9999999%(25℃),下游洁净度≤0.03 颗 / 升(>0.01μm 颗粒),氦检漏率<1×10⁻¹⁰ Pa・m³/s,密封性非常强
耐温能力:惰性气体下最高 200℃,适配 120~200℃高温前驱体管路
压力参数:最高工作压力 0.99MPa;高温 200℃时最大正向压差 0.08MPa,低压差设计,保障物料输送稳定
接口标准:1/2" VCR 兼容垫片密封外螺纹,半导体高纯气路通用接口
CVD 沉积设备终端点过滤器
TEOS、高 k(High-k)栅介质薄膜沉积工艺
湿法清洗 / 干燥的热氮气吹扫
BEOL 后段金属互连、FEOL 前段晶体管制程
耐高温版本:区别常规 MAX 系列,专门针对高温前驱体管路,解决普通过滤器高温下析出、失效问题
低压差:流量稳定,不影响前驱体供气配比,工艺一致性更好
可直接替换:两个长度规格,WGMXMPRR4HT(127mm)、WGMXMPRR4HTL(148mm),同尺寸过滤器直接换装,不用改管路
预烘烤工艺:出厂特殊烘烤处理,投产排气快,缩短机台调试时间
紧凑体积:节省气柜、设备内部安装空间
WGMXMPRR4HT:总长 127mm(5.00 英寸)
WGMXMPRR4HTL:总长 148mm(5.82 英寸)
Entegris 半导体 CVD 高温高纯气体过滤器 Entegris 英特格 Wafergard® MAX HT 在线气体过滤器,适配最高 200℃高温工况,可截留纳米级颗粒,用于半导体 CVD 设备、TEOS、高 k 材料沉积、热氮气吹扫等工艺,服务 FEOL、BEOL 制程,保障高纯气体洁净度,降低晶圆颗粒污染缺陷,是半导体制造高温气路的核心过滤耗材。
Entegris 半导体 CVD 高温高纯气体过滤器 Entegris 英特格 Wafergard® MAX HT 在线气体过滤器,适配最高 200℃高温工况,可截留纳米级颗粒,用于半导体 CVD 设备、TEOS、高 k 材料沉积、热氮气吹扫等工艺,服务 FEOL、BEOL 制程,保障高纯气体洁净度,降低晶圆颗粒污染缺陷,是半导体制造高温气路的核心过滤耗材。