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更新时间：2026-01-09 
浏览次数：261. 核心概念：什么是“纯臭氧发生装置"？
这是一种革新性的臭氧生成技术。与传统方法不同，该装置通过将臭氧液化并蓄积，能够提供不含重金属杂质的高纯度臭氧气体。
核心用途：主要作为半导体工艺（如原子层沉积 ALD、分子束外延 MBE）中的氧化源。在制造高精度芯片时，需要极纯净的氧化剂来形成高质量的薄膜。
技术突破：它是世界上首的个能够保证生成80%以上高浓度臭氧气体并实现安全连续供给的装置。
安全机制：
故障安全系统：在停电或异常情况下，通过温度/压力控制确保安全。
紧急吹扫机构：停电时自动启动，防止设备损坏或气体泄漏。
国际认证：部分机型符合 SEMI-S2、UL、NFPA、CE 等国际安全标准。
该装置能够提供极其稳定的高浓度臭氧输出，具体参数如下表所示：
| 参数项目 | 关键数值/范围 |
|---|---|
| 臭氧浓度 | 80% 以上 (保证值) |
| 最的大蓄积量 | 16,000 cc (单批次) |
| 供气压力 | 1,000 ~ 9,000 Pa |
| 气体流量控制 | 20 ~ 150 sccm (标准立方厘米/分钟) |
根据用户的使用目的（研发、试产、量产），该页面列出了三种不同的设备类型。这些设备的主要区别在于连续工作能力和自动化程度。
批次式 (Batch Type)
适用场景：研发 (R&D)。
特点：成本较低，适合预算有限的研发用途。
限制：每周需要进行一次“再生"操作（维护/清理），无法实现全天候连续运行。
准连续式 (Semi-Continuous Type)
适用场景：准量产（试生产）。
特点：在“蓄积"和“供给"之间循环。
限制：同样需要每周进行一次再生操作，无法做到完的全不间断。
连续供给式 (Continuous Supply Type)
适用场景：大规模量产。
特点：真正的24小时 x 365天连续供气。它在“蓄积"、“供给"和“再生"三个过程之间无缝切换，无需停机，是工业量产的理想选择。
该装置已被广泛应用于半导体制造和精密光学领域，目前全的球已有约 80台 的安装实绩（截至2024年）：
原子层沉积 (ALD)：
作为氧化源连接 ALD 设备。
优势：低温处理、覆盖性好（能均匀覆盖复杂结构）、运行成本低。
分子束外延 (MBE)：
用于尖的端半导体器件的研究制造。
优势：极低杂质、可长时间稳定供应微量高浓度臭氧（10 sccm~）。
电子束绘图装置：
用途：用于装置内部的原位（In-Situ）清洗。
优势：无等离子体（Plasma-free），设备寿命长。
这个页面展示的是一款针对高的端半导体制造的特种气体设备。其核心价值在于解决了传统臭氧发生技术中浓度低、杂质多、无法连续运行的痛点，通过液化蓄积技术实现了80%以上超高纯度和工业级连续稳定性，是先的进制程中不的可的或的缺的氧化源解决方案。
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