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更新时间：2026-01-14 
浏览次数：24在半导体材料领域，碳化硅（SiC）因其优异的物理性能，正逐渐成为新能源汽车、5G通信等高功率器件的首的选材料。然而，SiC晶圆的加工却是一项极的具挑战的工程——它硬度极的高、脆性大，传统的研磨工艺往往面临着效率低、成本高、表面缺陷多的难题。
Noritake（则武）推出的LHA垫®（Loosely Held Abrasive），作为一种革命性的“砥粒内包型研磨工具"，正在打破这一僵局。它通过独特的结构设计，不仅实现了**“无需研磨液"**的突破，更在效率与品质上树立了新的标的杆。
传统的研磨工艺通常依赖于将磨料（砥粒）混合在液体中（即研磨液/Slurry），通过研磨垫将磨料带到晶圆表面进行切削。这种方式不仅消耗大量昂贵的研磨液，还容易导致磨料团聚，造成晶圆表面划痕。
LHA垫®采用了完的全不同的思路。它将砥粒内包于纤维状的母材树脂中，形成一种**“非的完的全固定"**的结构。
技术原理： 砥粒并非像传统砂纸那样被死死粘住，而是被“松散地保持"在树脂内部。
作用机制： 在研磨压力和化学液体的作用下，砥粒会从树脂中逐渐露出并脱落，始终保持锋利的切削状态。
LHA垫®最的大的颠的覆性在于它不需要使用含砥粒的研磨液（Slurry）。
单一耗材： 仅需配合化学性质稳定的液体（如KMnO4系酸性研磨液，且不含砥粒）即可。
成本降低： 省去了昂贵的含粒研磨液，大幅降低了耗材成本。
流程简化： 由于不需要频繁调整研磨液的配比和流量，工艺流程变得更加简单易控。
在6英寸SiC晶圆的实际加工测试中，LHA垫®展现出了惊人的性能。
📊 性能对比实测数据
| 加工方式 | 研磨能率 (nm/h) | 表面质量 | 寿命表现 |
|---|---|---|---|
| LHA垫® + 酸性液 | 1600 (最的高可达1800) | 无划痕 (Scratch-less) | 3倍以上 |
| 传统无纺布垫 + 研磨液 | 1000 | 存在划痕风险 | 标准 |
| 硬质聚氨酯垫 + 研磨液 | 1300 | 一般 | 较短 |
效率提升1.6倍： LHA垫®的研磨能率约为传统无纺布垫的1.6倍，加工速度从1000nm/h提升至1600nm/h，显著缩短了加工时间。
零划痕加工： 得益于其独特的化学机械研磨（CMP）效果，LHA垫®能够实现**“单工序无划痕"**，省去了后续复杂的抛光工程。
超长寿命： 由于结构稳定，其使用寿命是传统产品的3倍以上，进一步摊薄了单片晶圆的加工成本。
除了效率和成本，LHA垫®还拥有极的强的环境适应能力。
耐药性强： 它可以在pH值3~11（强酸至弱碱）的广泛化学环境下稳定使用。
规格灵活： 提供外径φ940mm以下或更大尺寸的分割设计，表面可选同心圆沟槽或无沟槽类型，满足不同设备的定制需求。
Noritake的LHA垫®不仅仅是一款新的研磨工具，更是一次对SiC晶圆加工工艺的深度重构。它通过**“内包型"结构剔除了昂贵的研磨液成本，用“高能率"**解决了SiC难加工的痛点。
对于追求降本增效的半导体制造企业而言，LHA垫®提供了一个高效、环保且经济的全新解决方案，正在引的领硬脆材料研磨技术的未来。
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