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Technomate SSBL-37.5A高压泵:如何解决半导体晶片清洗与屏幕打磨难题?

更新时间:2026-06-11      浏览次数:81
在半导体晶片清洗与屏幕打磨等精密制造环节中,高压泵浦的性能直接决定了工艺参数的稳定性。日本Technomate SSBL-37.5A系列嵌入式小型高压泵浦通过空气驱动与特定材料密封设计,从压力控制、空间适配及介质兼容性三个维度解决工艺难题。

Technomate SSBL-37.5A高压泵:如何解决半导体晶片清洗与屏幕打磨难题?

1. 解决高压输出与流量控制难题


半导体晶片清洗要求高压液体具备精确的喷射力,以剥离表面薄膜与颗粒。SSBL-37.5A型号在0.5MPa的标准驱动气压下,可将排出压力稳定提升至17.6MPa,排出流量为0.58L/min。该压力区间(1.76~17.6MPa)可通过调节气源压力进行线性控制,满足晶片清洗设备对高压纯水或IPA(异丙醇)的精准喷射需求,保障清洗良率。


2. 解决设备空间受限与嵌入安装难题


自动化打磨与清洗设备内部空间紧凑。SSBL-37.5A系列采用紧凑型设计,物理尺寸严格控制在宽123mm × 高116mm × 深296.5mm。该尺寸规格使其能够直接嵌入半导体清洗设备(喷射清洗)、污染物清洗设备及抛光垫维护设备内部,无需额外占用外部空间。


3. 解决特殊化学介质腐蚀与防爆难题


屏幕打磨与晶片剥离工艺常涉及NMP(N-甲基吡咯烷酮)等强溶剂,且部分区域需防火防爆。SSBL-37.5A系列增压部分采用氟树脂和超高分子量聚乙烯作为密封材料。针对NMP介质,该型号提供Kalrez规格O型圈配置,确保在接触强溶剂时不发生腐蚀与泄漏。同时,其纯空气驱动设计(驱动气压范围0.05~0.5MPa,气耗量约70L/min@60SPM)从根本上杜绝了电气火花风险,满足防爆区域的安全作业标准。


综上,SSBL-37.5A系列高压泵浦凭借17.6MPa的最高排出压力、123×116×296.5mm的紧凑体积,以及针对NMP介质的Kalrez密封配置,为半导体晶片清洗与屏幕打磨提供了具备确切数据支撑的流体控制方案。


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