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更新时间:2026-06-11
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统一24VDC输入,简化系统集成
IR2系列全线产品(包括LFV3)均已统一为 24VDC 输入电压。这一标准化设计消除了不同颜色光源(如红、白、紫外、红外)电压不兼容的烦恼,使得控制单元可以通用,极大地降低了自动化检测设备(AOI)的布线复杂度和维护成本。
输出功率大幅提升,穿透力更强
搭载最新的LED芯片技术,LFV3系列在 940nm 波段的输出功率相比前代提升了 1.5倍。更高的亮度意味着在高速产线中也能获得清晰的图像,同时增强了红外光对硅片(Silicon)的穿透能力,有助于检测晶圆内部的隐性损伤。
低热损伤设计,守护高价值工件
传统的卤素灯在照射时会产生大量热量,容易对敏感的半导体材料造成热损伤。LFV3采用的红外LED仅辐射特定波长的能量,发热量极低,确保了在长时间检测过程中,晶圆的物理特性不会受到任何影响。
波长选择:提供 850nm 和 94纯nm 两种标准波长。其中,940nm波长对硅材料的穿透性更佳,特别适合用于检测晶圆背面或封装内部的缺陷;而850nm则在表面成像上具有更高的对比度。
尺寸覆盖:从紧凑的 20×20mm 到大型的 100×100mm 发光面,LFV3提供了多种尺寸选择,能够适配不同规格的晶圆搬运平台和检测工位。
工作电压:统一为 24V。
功率范围:从 LFV3-CP-13SW 的 2.3W 到 LFV3-200SW 的 64W 不等。
红色 LED:峰值波长 630nm 或 635nm。
白色 LED:色温 6,000K 或 6,500K。
蓝色 LED:波长 460nm、470nm 或 480nm。
部分型号配备漫射板、偏振板或支持光控功能。
主要推荐使用 PD3 系列控制单元(如 PD3CC8T-1024、PSBPTU2 等)。
最轻为 LFV3-CP-13RD(37g),最重为 LFV3-200RD(A)(4,350g)。
包括 LFV3-34、35、40、50、50×100、70、100、130、200 等多种尺寸。
包括 LFV3-CP-13 和 LFV3-CP-18。
表面缺陷检测:无论是微米级的划痕、针孔,还是微小的颗粒异物(Particle),在LFV3均匀的同轴光照射下,都能呈现出清晰的阴影对比,极大降低了漏检率。
图案识别与对位:在需要穿透表面氧化层或特定涂层进行内部结构识别时,LFV3的高穿透性红外光能够“过滤"掉表层干扰,精准捕捉底层的对位标记(Mark)或电路图案。
在追求非常良率的半导体制造领域,光源的选择直接决定了检测的精度上限。CCS LFV3同轴光源通过消除镜面反光干扰、提升红外输出功率以及标准化的电压设计,为半导体Wafer的无损检测树立了新的标准。对于正在寻求高稳定性、高精度视觉解决方案的制造商而言,LFV3无疑是一款值得信赖的核心组件。
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