晶圆与光罩清洗遇瓶颈？SONOSYS 兆声技术实现“无损去污”与“高效剥离”

更新时间：2026-08-27

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在半导体制造步入 7nm 乃至更先进制程的今天，芯片表面的微观结构变得之前所没有的复杂与脆弱。一粒微小的纳米级颗粒，或是一次不当的清洗冲击，都可能导致价值数万元的晶圆报废。面对这一挑战，传统的超声波清洗已逼近物理极限。作为兆声清洗领域的隐形冠的军的，SONOSYS 凭借 25 年的技术积淀，正以卓的越的兆声解决方案，为晶圆清洗、光罩清洗及光刻胶剥离工艺保驾护航。

一、晶圆清洗：在“强力去污"与“零损伤"间寻找完的美平衡

在先进制程中，晶圆表面布满了极其脆弱的微观结构。传统超声波清洗依靠剧烈的气泡爆破（强瞬态空化）来去除污垢，这种“微型炸的弹的"极易导致精细图形结构的倒塌或薄膜剥离。

SONOSYS 的兆声清洗技术彻的底的改变了这一范式。通过输出 1 MHz 甚至高达 5 MHz 的高频声波，SONOSYS 系统以温和而持续的“声流效应"和“微空化效应"为主。这就像是用无数把纳米级的“软毛刷"和“微射流"，精准剥离附着在晶圆表面的亚微米级颗粒，同时确保底层脆弱的半导体结构毫发无损。无论是前道制程的颗粒去除，还是后道 CMP 后的抛光液清洗，SONOSYS 都能提供高度均匀、无盲区的极的致的洁净。

二、光罩清洗：守护光刻精度的“最后一道防线"

光罩（Photomask）是芯片制造的“底片"，其表面的任何微小瑕疵都会被直接投影到晶圆上。特别是对于极紫外（EUV）光罩，其清洁度要求达到了苛刻的原子级。

SONOSYS 针对光罩清洗提供了高度定制化的兆声解决方案。无论是带图案的掩模版，还是带有保护膜的掩模版，SONOSYS 的兆声喷嘴或浸没式换能器都能在不损伤掩模精细图形和薄膜的前提下，实现接近 100% 的颗粒去除率。此外，系统还可用于清洗光罩背面的对准标记，大幅降低因污染导致的光罩重做率，为光刻精度提供坚实保障。

三、剥离辅助：让光刻胶去除更高效、更温和

在光刻工艺后，彻的底的去除残留的光刻胶是保证良率的关键。对于高深宽比的三维结构，传统的化学剥离往往难以渗透到结构深处，且长时间浸泡化学药液可能带来腐蚀风险。

SONOSYS 的兆声技术是剥离工艺的绝的佳的“催化剂"。通过将兆声能量精准注入剥离药液中，兆声波能够显著增强化学试剂的活性与渗透力，加速光刻胶的溶解与剥离。更重要的是，这种物理与化学的协同作用，允许使用更低浓度的化学品和更短的工艺时间，不仅大幅提升了剥离效率，还有效避免了因过度反应导致的微结构损伤。

四、为什么选择 SONOSYS？

从 400 kHz 到 5 MHz 的宽频覆盖，从单喷嘴、双喷嘴到定制化的换能器阵列，SONOSYS 提供的不只是一台设备，而是针对微观结构清洗的完整解决方案。

极的致的均匀：专的利的声场设计确保晶圆/光罩表面能量分布高度一致，消除清洗盲区。
无损工艺：专为精密微结构设计的温和清洗机制，完的美的适配 MEMS、LIGA 及先进半导体制程。
高度可靠： 25 年行业经验，全球超过 4500 套系统的成功交付，是技术实力的最好证明。

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