晶圆内部缺陷检测还用卤素灯？日本NPI PS-LED-IRB三波长近红外光源一次搞定

更新时间：2026-09-17

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在半导体制造与精密材料检测领域，晶圆内部缺陷检测是保障良率的关键环节。长期以来，许多产线和实验室仍依赖传统卤素灯作为近红外光源。然而，卤素灯在实际应用中逐渐暴露出诸多痛点：光导纤维传输损耗大、光热效应明显、波长单一难以兼顾多种材料特性，加之体积庞大、维护频繁，严重制约了检测效率与设备的小型化进程。面对日益精密的检测需求，行业亟需一种更高效、更稳定、更智能的近红外光源解决方案。

日本ピー・アイ株式会社（NPI / Nippon P&I Co., Ltd.）推出的 PS-LED-IRB 三波长近红外照射单元，正是为破解这一行业难题而生。该产品由光源部 PS-LED-IRB 与单元部 LED-IRB-TRI 组成，凭借多波长同时照射、无光纤直照结构、精细调光控制及紧凑便携设计，重新定义了晶圆内部缺陷检测的光源标准。

核心优势：一次照射，多重洞察

多波长同时照射，兼顾效率与精度

PS-LED-IRB 最多可同时输出 3 个近红外波长（标准范围 1050nm～1200nm，支持定制），一次性捕捉不同材料的缺陷与异物。在晶圆内部空洞检测中，不同深度的缺陷对波长的吸收特性各异，多波长并行照射可在单次扫描中完成多维度验证，大幅缩短检测周期，同时提升缺陷识别的准确率。

无光纤直照结构，光效与可靠性双提升

摒弃传统卤素灯依赖光导纤维的传输方式，PS-LED-IRB 采用 LED 直接照射设计，从根本上消除了光纤耦合损耗与弯曲衰减问题。这一结构不仅使光能利用率显著提升，还简化了光学系统，为检测设备的小型化与免维护设计奠定基础。

独立与联动调光，精准适配复杂场景

3 个通道支持独立调光，亦可通过 0～5V 模拟信号实现整体联动调节。PWM 电流控制方式确保光量调节精细、照度稳定，无论是半导体红外显微镜检查中的高对比度成像，还是太阳能电池裂纹检测中的非破坏性评估，均可灵活匹配最佳光照条件。

紧凑静音设计，无缝集成产线

电源与控制单元外形尺寸仅 160×131×45mm，重量 0.8kg，功耗 24W，采用自然冷却静音设计，无风扇噪音干扰。LED 设计寿命达 20,000 小时，配合过升温保护机制，可在洁净室环境中长期稳定运行，显著降低运维成本。

典型应用场景

• 晶圆内部空洞检测：利用近红外穿透性，非破坏性地识别硅片内部微孔、夹杂物等缺陷。

• 半导体红外显微镜检查：与光学显微镜协同工作，实现亚微米级缺陷的高分辨率成像。

• 太阳能电池裂纹检测：快速定位电池片隐裂、断栅等结构性损伤，保障组件可靠性。

• 科研与工业近红外检测：适用于各类需多波长近红外光源的材料分析、透射成像等场景。

核心规格参数

参数项	规格说明
额定输入电压	DC12V
额定输入电流	3A
功耗	24W
通道数	3Ch
点亮方式	连续点亮
驱动方式	恒流驱动
调光方式	PWM电流控制 + 调光旋钮连续调光
模拟调光	0~5V（3通道独立/整体联动）
ON/OFF信号输入	接点或光电耦合器（10mA）
冷却方式	自然冷却
外形尺寸（电源/控制单元）	160(宽)×131(长)×45(高) mm
重量（电源/控制单元）	0.8kg
LED设计寿命	20,000小时
单元部外形尺寸	Φ25×82(L) mm
单元部重量	0.2kg
安全保护	筐体内温度监视（过升温保护）

总结：从“能用"到“好用"的光源升级

相比传统卤素灯，NPI PS-LED-IRB 不仅解决了光传输损耗大、热管理困难、波长单一等固有缺陷，更通过多波长并行、智能调光与紧凑设计，将晶圆内部缺陷检测推向“一次照射、多维验证"的新阶段。在半导体制造向更高精度、更高良率迈进的今天，PS-LED-IRB 以其高效、稳定、易集成的特性，成为替代卤素灯的理想选择，为精密检测提供可靠的光学基石。

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