1MHz 高频兆声波技术解析｜本多 W-357BM-1200 清洗发生器特点与应用

更新时间：2026-09-09

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半导体制造、精密光学与 MEMS 器件生产过程中，微颗粒污染物去除是影响良率的关键工序。传统低频超声波清洗容易造成器件表面空化损伤，无法满足纳米级精密工件清洗要求。兆声波清洗依靠高频声波在清洗液中形成稳定流体微射流，在低损伤前提下剥离微米 / 亚微米颗粒，是晶圆、光掩模、蓝宝石衬底等精密基材主流清洗方案。

本多電子（HONDA）W-357BM-1200 为 1MHz 分离式兆声波发生器，专为半导体湿法清洗场景开发，配套兆声波换能器使用，输出功率 1200W，支持精细化功率调节与工业通讯，广泛应用于单片清洗机、槽式清洗设备。

产品核心参数

产品型号：W-357BM-1200
品牌：本多電子 HONDA
工作频率：1MHz
额定输出功率：1200W
通讯接口：RS485，支持 Modbus 协议
功率调节：1W 步进精细可调
结构形式：分离式发生器，主机与换能器分体安装
适用介质：纯水、化学清洗液等湿法工艺流体

本多 W-357BM-1200 核心特点

1MHz 高频低损伤清洗相比 20kHz~100kHz 超声波，1MHz 兆声波空化效应温和，依靠声流效应剥离表面微尘，不会划伤晶圆、光掩膜、薄胶层等脆弱表面，兼顾清洗效率与工件良率。
1200W 大功率输出，功率精细化控制1200W 大功率可支持大面积换能器负载；功率 1W 步进调节，工艺人员可根据基板材质、颗粒大小精准匹配声能输出，方便建立稳定可重复的清洗工艺配方。
工业级 Modbus 通讯，适配自动化产线搭载 RS485 Modbus 通讯接口，可直接对接 PLC、上位机控制系统，实现远程启停、功率读写、故障信号反馈，适配全自动半导体湿法清洗设备集成需求。
分离式结构设计驱动电源主机与兆声波换能器分体布置，电源可放置在设备电控柜区域，换能器安装在清洗槽腔体内，减少潮湿化学环境对电源的腐蚀，提升设备长期运行稳定性。
负载自适应与故障保护内置负载检测、过热、过流保护机制，当换能器断线、阻抗异常时及时报警停机，减少工艺事故，适合 7×24 小时连续工业化生产。

典型应用场景

半导体晶圆单片清洗、槽式湿法清洗
光掩模 / 光罩精密清洗工艺
蓝宝石、碳化硅衬底清洗
MEMS 微结构器件清洗
光学镜片、精密玻璃基板颗粒去除
硬碟读写头、微小精密零部件清洗

总结

兆声波清洗凭借低损伤、高效除颗粒优势，成为高的端的精密制造不可少的工艺手段。本多電子 W-357BM-1200 兆声波发生器，1MHz 频率搭配 1200W 大功率输出，精细功率调节与工业总线通讯能力，能够很好匹配半导体、光掩模等高的端的湿法清洗设备开发，为精密工件纳米级颗粒去除提供稳定可靠的声能源方案。

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