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SAMCO UV-1 UV 臭氧清洗机,化合物半导体基片清洗解决方案

更新时间:2026-11-04      浏览次数:5


在第三代半导体、光电子器件研发生产过程中,基片表面微量有机污染、光刻胶残胶,会直接影响外延生长、镀膜、键合等后续工艺良率。传统湿法清洗容易带来液体残留、样品受潮损伤,超声波清洗的机械冲击也可能损伤脆弱的外延薄膜,SAMCO UV-1 台式 UV 臭氧清洗机,为化合物半导体基片提供温和可靠的干法精密清洗方案。

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一、设备核心原理

SAMCO UV-1 属于紫外臭氧干法清洗设备,区别于超声波湿法清洗。设备内部紫外光源输出 185nm、254nm 短波紫外:185nm 紫外激发空气生成臭氧,254nm 紫外打断有机分子化学键并分解臭氧产生活性氧;活性氧与有机物发生氧化反应,将污染物转化为二氧化碳、水汽挥发除去。设备集成加热载台,可进一步加快氧化反应速度,稳定工艺效果。全程常压运行,无需真空系统。

二、核心产品优势

  • 适配化合物半导体样品最大支持 φ100mm(4 英寸)基片,兼容 GaN、GaAs、InP、SiC 等化合物半导体,同时支持硅片、玻璃、陶瓷基片处理,满足实验室多品类样品测试需求。

  • 温和干法工艺,保护基片完整性无液体接触、无机械冲击,避免湿法工艺带来的水渍、静电、薄膜剥落风险,适合精密外延片、光学基片的表面预处理。

  • 多重安全防护,稳定可靠配备舱盖互锁、自动氮气吹扫、加热载台熔断保护、臭氧尾气催化处理、急停开关;尾气臭氧浓度降至安全标准,满足实验室环保管控要求。

  • 台式紧凑结构,部署简单占用台面空间小,常压工作,不用配套真空机组,安装调试便捷,适合高校实验室、研发小试产线使用。

三、典型应用场景

  1. GaN、SiC、GaAs、InP 化合物半导体基片精密表面清洗

  2. 光刻胶灰化、残胶剥离、除胶工艺

  3. 材料表面改性,提升基材润湿性、粘接附着力

  4. 塑封器件、引线框架表面有机污染物去除

  5. 可控氧化制备超薄氧化层、光学样品表面清洁、紫外固化

四、适用行业

化合物半导体、第三代半导体、半导体研发、光学器件、先进材料、高校微纳加工实验室、科研院所。

小结

SAMCO UV-1 紫外臭氧清洗机凭借常压干法、带加热载台、工艺柔和可控的特点,很好解决化合物半导体基片精密清洗痛点,是微纳加工、表面预处理环节高性价比的精密清洗设备







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