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更新时间:2026-10-30
浏览次数:6光刻胶膜厚管控是微纳加工光刻工艺的核心难点,膜厚不均匀会造成图形畸变、曝光失效,想要获得稳定、均一的光刻胶涂层,旋涂设备的转速精度、工艺可编程能力至关重要。

高精度转速控制采用 AC 伺服驱动,转速范围 20~8000rpm,带负载转速精度 ±1rpm。旋涂工艺中,转速直接决定光刻胶最终膜厚,稳定无波动的转速,是控制膜厚重复性的基础。
多段可编程工艺支持 100 段步骤编程,可设置多阶转速、时间参数,自由编辑光刻胶匀胶工艺曲线,适配不同粘度光刻胶的涂布需求。
可靠真空吸附标配真空吸附系统,真空区间 - 0.08~-0.1MPa,基板固定牢固,防止旋转过程中基板移位,杜绝局部涂层不均。
实测涂布表现
基板:4 英寸晶圆 /75×75mm 基板光刻胶:OFPR-800LB(东京应化)目标膜厚:1μm膜厚分布:±0.8%,均匀性表现优秀
适用领域
半导体光刻实验、MEMS 微纳加工、光学薄膜制备、高校科研院所材料研发、传感器试样制备
设备基础参数概要
适配基板:φ4 英寸晶圆、75×75mm 方形基板
外形小巧台式,重量 10kg,适合实验室布局
电源宽电压 AC100~240V,适配国内实验室供电
注:本机不支持预装滴下装置,无自动滴胶功能
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