半导体晶圆背面图案观察难？试试清和光学SIS-150近红外卤素光源

更新时间：2026-08-08

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在半导体制造与检测领域，对硅晶圆（Siウェハ）进行内部检查或背面图案观察是一项极的具的挑战性的任务。由于硅材料对可见光不透明，传统的光源难以穿透晶圆，导致无法实现有效的非破坏性检测。

清和光学製作所（Seiwa Optical）推出的近红外卤素光源（SIS-150系列），正是为解决这一难题而生的专业光纤光源装置。

半导体晶圆背面图案观察难？试试清和光学SIS-150近红外卤素光源.png

近红外光：穿透硅晶圆的“钥匙"

SIS-150系列的核心优势在于其发射的光谱在近红外区域有显著峰值。近红外光具备较强的穿透能力，可以轻松穿过硅晶圆。当配合专用的光学系统和对近红外波段敏感的相机使用时，检测人员便能清晰地观察到晶圆的内部结构或背面的电路图案，从而实现精准的非破坏性检测。

SIS-150系列：两种型号，精准匹配不同需求

为了满足不同波长范围的检测需求，SIS-150系列提供了两种型号：

SIS-150-NIR

照射波长范围：400 ~ 1100 nm
峰值波长：800 nm
适用于常规的近红外检测应用。

SIS-150-AIR

照射波长范围：400 ~ 1700 nm
峰值波长：1000 nm
覆盖更宽的波长范围，适用于需要更长波长进行检测的复杂场景。请注意，此型号需搭配专用耐热光导使用。

高度可控，灵活集成

SIS-150系列不仅在性能上表现出色，在控制方面也提供了极大的灵活性，便于集成到各种自动化检测系统中：

精细调光：支持0.1%至100%的宽范围光量调节，可通过模拟电压（DC 0-5V）进行精确控制。
远程控制：具备远程开关（ON/OFF）功能，方便系统集中控制。
丰富配件：可选配波长选择带通滤波器、机械快门以及支持多种信号（模拟/数字/串行）的256级数字调光板，以满足更专业的检测需求。

产品规格一览

型号	照射波长范围	峰值波长
SIS-150-NIR	400 ~ 1100 nm	800 nm
SIS-150-AIR	400 ~ 1700 nm	1000 nm

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